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Microchip DN3135 Type N-Channel MOSFET, 135 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-23

N° de stock RS:: 165-5144
Référence fabricant:: DN3135K1-G
Fabricant:: Microchip

Microchip DN3135 Type N-Channel MOSFET, 135 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-23

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 035,00 €

(TVA exclue)

1 251,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,345 €	1 035,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 165-5144
Référence fabricant:: DN3135K1-G
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	135mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	350V
	Series	DN3135
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	35Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Lead (Pb)-free/RoHS
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Width	1.4mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 135mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 350V
	Series DN3135
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 35Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Lead (Pb)-free/RoHS
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Width 1.4mm
	Automotive Standard No

DN3135 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an Advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

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