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Microchip MIC94050 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 MIC94050YM4-TR

N° de stock RS:: 599-040
Référence fabricant:: MIC94050YM4-TR
Fabricant:: Microchip

Microchip MIC94050 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 MIC94050YM4-TR

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 704,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,568 €	1 704,00 €

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N° de stock RS:: 599-040
Référence fabricant:: MIC94050YM4-TR
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	N-Channel DMOS FET
	Maximum Continuous Drain Current Id	350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	9V
	Series	MIC94050
	Package Type	SOT-23-5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Depletion Mode
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-25°C
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Length	3.05mm
	Standards/Approvals	RoHS, ISO/TS‑16949
	Height	1.3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Microchip
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type N-Channel DMOS FET
	Maximum Continuous Drain Current Id 350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 9V
	Series MIC94050
	Package Type SOT-23-5
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Depletion Mode
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -25°C
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Length 3.05mm
	Standards/Approvals RoHS, ISO/TS‑16949
	Height 1.3mm
	Automotive Standard No

Datasheet - MIC94050YM4-TR

Pays d'origine :: TH

The Microchip 4-terminal silicon gate P-channel MOSFET provides low on-resistance in a compact package. Designed for high-side switch applications where space is critical, it typically exhibits an on-resistance of 0.125Ω at a 4.5V gate-to-source voltage. The MOSFET operates with as low as 1.8V gate-to-source voltage.

Operates with 1.8V gate-to-source voltage

Separate substrate connection allows reverse blocking

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