Références fabricant

Microchip TN5335 Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 350 V MOSFET, 3-Pin SOT-23

N° de stock RS:: 264-8924
Référence fabricant:: TN5335K1-G
Fabricant:: Microchip

Microchip TN5335 Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 350 V MOSFET, 3-Pin SOT-23

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 703,00 €

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3000 +	0,901 €	2 703,00 €

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N° de stock RS:: 264-8924
Référence fabricant:: TN5335K1-G
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	350V
	Series	TN5335
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15Ω
	Channel Mode	MOSFET
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.3mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 350V
	Series TN5335
	Package Type SOT-23
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15Ω
	Channel Mode MOSFET
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.3mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet - TN5335K1-G

The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

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