Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND250K1-G

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N° de stock RS:
598-794
Référence fabricant:
LND250K1-G
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N-Channel DMOS FET

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

9V

Package Type

SOT-23-5

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Depletion Mode

Maximum Power Dissipation Pd

360mW

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Minimum Operating Temperature

-25°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Height

1.3mm

Length

3.05mm

Width

1.75 mm

Standards/Approvals

RoHS, ISO/TS‑16949

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
TH
The Microchip High voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND250 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Excellent thermal stability

Integral source drain diode

High input impedance and low CISS

ESD gate protection

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