Microchip LND250 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND250K1-G
- N° de stock RS:
- 598-794
- Référence fabricant:
- LND250K1-G
- Fabricant:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 806,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,602 € | 1 806,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 598-794
- Référence fabricant:
- LND250K1-G
- Fabricant:
- Microchip
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N-Channel DMOS FET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 9V | |
| Package Type | SOT-23-5 | |
| Series | LND250 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Depletion Mode | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360mW | |
| Minimum Operating Temperature | -25°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 3.05mm | |
| Height | 1.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N-Channel DMOS FET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 9V | ||
Package Type SOT-23-5 | ||
Series LND250 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Depletion Mode | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360mW | ||
Minimum Operating Temperature -25°C | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 3.05mm | ||
Height 1.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TH
The Microchip High voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND250 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Excellent thermal stability
Integral source drain diode
High input impedance and low CISS
ESD gate protection