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Microchip LND150 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND150N3-G-P003

N° de stock RS:: 599-150
Référence fabricant:: LND150N3-G-P003
Fabricant:: Microchip

Microchip LND150 N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND150N3-G-P003

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

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2000 +	0,619 €	1 238,00 €

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N° de stock RS:: 599-150
Référence fabricant:: LND150N3-G-P003
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	N-Channel DMOS FET
	Maximum Continuous Drain Current Id	350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	9V
	Package Type	SOT-23-5
	Series	LND150
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Depletion Mode
	Minimum Operating Temperature	-25°C
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Height	1.3mm
	Standards/Approvals	ISO/TS‑16949, RoHS
	Length	3.05mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Microchip
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type N-Channel DMOS FET
	Maximum Continuous Drain Current Id 350mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 9V
	Package Type SOT-23-5
	Series LND150
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Depletion Mode
	Minimum Operating Temperature -25°C
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Height 1.3mm
	Standards/Approvals ISO/TS‑16949, RoHS
	Length 3.05mm
	Automotive Standard No

Datasheet - LND150N3-G-P003

Pays d'origine :: PH

The Microchip High voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Excellent thermal stability

Integral source drain diode

High input impedance and low CISS

ESD gate protection

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