Références fabricant

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3493DDV-T1-GE3

N° de stock RS:: 134-9155
Référence fabricant:: SI3493DDV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3493DDV-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 134-9155
Référence fabricant:: SI3493DDV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	TSOP
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	51mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-8V, +8V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.6W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34.8nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.1mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1mm
	Width	1.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type TSOP
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 51mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.6W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34.8nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.1mm
	Standards/Approvals No
	Height 1mm
	Width 1.7mm
	Automotive Standard No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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