Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

315,00 €

(TVA exclue)

381,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 30000,105 €315,00 €
6000 +0,10 €300,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
134-9155
Référence fabricant:
SI3493DDV-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

51mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.1mm

Width

1.7 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes