Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin TSSOP
- N° de stock RS:
- 228-2822
- Référence fabricant:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,30 € | 900,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2822
- Référence fabricant:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TSSOP | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TSSOP | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET P-Channel power MOSFET is use for load switch, battery switch and power management.
100 % Rg and UIS tested
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