Références fabricant

ROHM Single RQ3L050GN 1 N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3L050GNTB

N° de stock RS:: 133-3297
Référence fabricant:: RQ3L050GNTB
Fabricant:: ROHM

ROHM Single RQ3L050GN 1 N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3L050GNTB

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 133-3297
Référence fabricant:: RQ3L050GNTB
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Transistor Configuration	Single
	Series	RQ3L050GN
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	12 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	60 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	HSMT
	Forward Voltage (Vf)	1.2 V
	Height	850 μm
	Length	3.3 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	86 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V, -20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	14.8 W
	Mount Type	Surface
	Width	3.1 mm

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	Marque ROHM
	Transistor Configuration Single
	Series RQ3L050GN
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 12 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 60 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type HSMT
	Forward Voltage (Vf) 1.2 V
	Height 850 μm
	Length 3.3 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 86 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V, -20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 14.8 W
	Mount Type Surface
	Width 3.1 mm

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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