ROHM RQ3L050GN N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin HSMT RQ3L050GNTB

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N° de stock RS:
133-3297
Référence fabricant:
RQ3L050GNTB
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

HSMT

Series

RQ3L050GN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

86 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

14.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

5.3 nC @ 10 V

Length

3.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

3.1mm

Height

0.85mm

Forward Diode Voltage

1.2V

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM



MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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