ROHM Single RQ3L050GN 1 N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3L050GNTB

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133-3297
Référence fabricant:
RQ3L050GNTB
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

RQ3L050GN

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

86mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V, -20V

Maximum Power Dissipation Pd

14.8W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Single

Width

3.1mm

Height

0.85mm

Length

3.3mm

Number of Elements per Chip

1

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


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