ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1

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264-477
Référence fabricant:
RQ3L070BGTB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

HSMT-8

Series

RQ3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

24.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

15W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET 60V 20A offers low on-resistance, making it ideal for primary side switching, motor drives, and DC-DC converters.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package

Pb-free plating and RoHS compliant

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