Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3607PBF

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124-9004
Référence fabricant:
IRFB3607PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.82 mm

Standards/Approvals

No

Height

9.02mm

Length

10.66mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MX

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