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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3607PBF

N° de stock RS:: 124-9004
Référence fabricant:: IRFB3607PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3607PBF

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50 - 50	0,462 €	23,10 €
100 - 200	0,43 €	21,50 €
250 - 450	0,418 €	20,90 €
500 - 1200	0,408 €	20,40 €
1250 +	0,397 €	19,85 €

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N° de stock RS:: 124-9004
Référence fabricant:: IRFB3607PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.66mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.02mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.66mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.02mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: MX

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

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