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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 688-6923
Référence fabricant:: IRFB3607PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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50 - 120	0,538 €	2,69 €
125 - 245	0,496 €	2,48 €
250 - 495	0,466 €	2,33 €
500 +	0,434 €	2,17 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 688-6923
Référence fabricant:: IRFB3607PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

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Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.02mm
	Length	10.66mm
	Width	4.82 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.02mm
	Length 10.66mm
	Width 4.82 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

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