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Vishay Si4403CDY Type P-Channel MOSFET, 13.4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4403CDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 121-9657
Référence fabricant:: SI4403CDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si4403CDY Type P-Channel MOSFET, 13.4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4403CDY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 121-9657
Référence fabricant:: SI4403CDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	13.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	Si4403CDY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.66V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	60nC
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.55mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4 mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 13.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series Si4403CDY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.66V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.55mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4 mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Vishay Si4403CDY Type P-Channel MOSFET, 13.4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4403CDY-T1-GE3

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P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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