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STMicroelectronics N channel-Channel MOSFET, 220 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT STL190N8F8

N° de stock RS:: 834-676
Référence fabricant:: STL190N8F8
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N channel-Channel MOSFET, 220 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT STL190N8F8

Visuel non contractuel

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

4 302,00 €

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3000 +	1,434 €	4 302,00 €

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N° de stock RS:: 834-676
Référence fabricant:: STL190N8F8
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	220A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerFLAT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement Mode
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1mm
	Standards/Approvals	ROHS
	Width	5mm
	Length	6mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 220A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerFLAT
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.6mΩ
	Channel Mode Enhancement Mode
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1mm
	Standards/Approvals ROHS
	Width 5mm
	Length 6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STL190N8F8

Pays d'origine :: SG

The STMicroelectronics N channel power MOSFET designed to deliver efficient performance in various power applications. It features robust specifications suitable for High current demands in Compact packaging.

Max drain-source voltage of 80 V ensures operational reliability

Low on-resistance of 4.5 mΩ promotes energy efficiency

High continuous drain current rating up to 126 A supports demanding designs

Optimised for a maximum junction temperature of 175 °C for enhanced durability

Avalanche tested design guarantees robustness under fault conditions

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