Références fabricant

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT

N° de stock RS:: 192-4659
Référence fabricant:: STL45N60DM6
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 192-4659
Référence fabricant:: STL45N60DM6
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PowerFLAT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	160W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	8.1mm
	Height	900μm
	Width	8.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PowerFLAT
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 160W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 8.1mm
	Height 900μm
	Width 8.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

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