STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 95 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

3 681,00 €

(TVA exclue)

4 455,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 02 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,227 €3 681,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
228-3030
Référence fabricant:
STL105N8F7AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

95A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Power Dissipation Pd

127W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Among the lowest RDS(on) on the market

Excellent FoM (figure of merit)

Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

High avalanche ruggedness

Liens connexes