STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

6 051,00 €

(TVA exclue)

7 323,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 01 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +2,017 €6 051,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
192-4658
Référence fabricant:
STL26N60DM6
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

215mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

8.1mm

Width

8.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Liens connexes