Vishay SQJ N-Channel Single MOSFETs, 95 A, 200 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJQ190ER-T1_GE3

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N° de stock RS:
829-355
Référence fabricant:
SQJQ190ER-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

95A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

P

Series

SQJ

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0143Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

8mm

Height

1.04mm

Length

8.1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
DE
The Vishay power MOSFET offers exceptional performance in automotive applications, ensuring reliable operation under challenging conditions with robust thermal management capabilities for both performance and lifespan.

TrenchFET technology for enhanced efficiency

AEC-Q101 qualified for automotive industry reliability

Thin profile of 1.9 mm complements Compact designs

Maximum drain-source voltage of 200 V supports high-performance circuits

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