ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BJFRATCB
- N° de stock RS:
- 265-252
- Référence fabricant:
- RQ3L120BJFRATCB
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
5,83 €
(TVA exclue)
7,05 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 60 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,583 € | 5,83 € |
| 100 - 240 | 0,553 € | 5,53 € |
| 250 - 490 | 0,512 € | 5,12 € |
| 500 - 990 | 0,472 € | 4,72 € |
| 1000 + | 0,455 € | 4,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-252
- Référence fabricant:
- RQ3L120BJFRATCB
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Series | RQ3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 106mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Series RQ3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 106mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is an ideal solution for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting and body applications. Its robust construction ensures reliable operation in demanding automotive environments. Realization of high mounting reliability by original terminal and plating treatment.
RoHS compliant
AEC Q101 Qualified
Small high powered package
Liens connexes
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G270BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G120BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BKFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3P270BKFRATCB
- ROHM HT8MC5 Type P 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MC5TB1
- ROHM HT8MB5 Type N 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MB5TB1