ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G120BJFRATCB
- N° de stock RS:
- 265-249
- Référence fabricant:
- RQ3G120BJFRATCB
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 10 unités)*
5,76 €
(TVA exclue)
6,97 €
(TVA incluse)
Ajouter 140 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,576 € | 5,76 € |
| 100 - 240 | 0,547 € | 5,47 € |
| 250 - 490 | 0,506 € | 5,06 € |
| 500 - 990 | 0,467 € | 4,67 € |
| 1000 + | 0,45 € | 4,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-249
- Référence fabricant:
- RQ3G120BJFRATCB
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | RQ3 | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 48mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series RQ3 | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 48mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is an ideal solution for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting and body applications. Its robust construction ensures reliable operation in demanding automotive environments. Realization of high mounting reliability by original terminal and plating treatment.
RoHS compliant
AEC Q101 Qualified
Small high powered package reduces mounting area
Liens connexes
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G270BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BJFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3P270BKFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L120BKFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1
- ROHM HT8MB5 Type N 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MB5TB1
- ROHM HT8MC5 Type P 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MC5TB1
