Vishay SISS64DN N channel-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-UE3

Sous-total (1 ruban de 1 unité)*

0,98 €

(TVA exclue)

1,19 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 02 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s)
le ruban
1 +0,98 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
736-356
Référence fabricant:
SISS64DN-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SISS64DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications, ensuring reliable operation under demanding conditions with Advanced features for reduced switching losses.

Supports synchronous rectification and high power density applications

Ultra-low on-state resistance at specified gate voltages

High continuous drain current rating for demanding loads

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.