Vishay SISS52DN N channel-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS52DN-T1-BE3
- N° de stock RS:
- 736-353
- Référence fabricant:
- SISS52DN-T1-BE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 162A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Series | SISS52DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00095Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 162A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Series SISS52DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00095Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for robust switching applications, offering excellent efficiency and reliability in power management solutions.
Tested for 100% R g and UIS, ensuring superior reliability
Material compliance categorisation enhances environmental safety
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