Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 222 A, 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ182ER-T1_GE3

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N° de stock RS:
735-244
Référence fabricant:
SQJ182ER-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

222A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPack

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

10

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0061Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

93nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

7.5mm

Width

5.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

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