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Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ186ELR-T1_GE3

N° de stock RS:: 735-276
Référence fabricant:: SQJ186ELR-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ186ELR-T1_GE3

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N° de stock RS:: 735-276
Référence fabricant:: SQJ186ELR-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPack
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0296Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	90W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	7.5mm
	Width	5.3mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPack
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0296Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 90W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 7.5mm
	Width 5.3mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

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