Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -222 A, -60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ161EL-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 735-246
- Référence fabricant:
- SQJQ161EL-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -222A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0072Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 136nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 348W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 7.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -222A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0072Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 136nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 348W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 7.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
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