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Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 396 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ134ELR-T1_GE3

N° de stock RS:: 735-243
Référence fabricant:: SQJ134ELR-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 396 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ134ELR-T1_GE3

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N° de stock RS:: 735-243
Référence fabricant:: SQJ134ELR-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	396A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPack
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.021Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	319W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	131nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Length	7.5mm
	Width	5.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 396A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPack
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.021Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 319W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 131nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Length 7.5mm
	Width 5.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

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