ROHM AG502EG Type P-Channel Single MOSFETs, 68 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AG502EGD3HRBTL
- N° de stock RS:
- 646-617
- Référence fabricant:
- AG502EGD3HRBTL
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 5 unités)*
4,62 €
(TVA exclue)
5,59 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 100 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,924 € | 4,62 € |
| 50 - 245 | 0,814 € | 4,07 € |
| 250 - 495 | 0,73 € | 3,65 € |
| 500 + | 0,578 € | 2,89 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 646-617
- Référence fabricant:
- AG502EGD3HRBTL
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | AG502EG | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 77W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48.0nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series AG502EG | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 77W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48.0nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems. This MOSFETs are 100 percent avalanche tested.
Low on resistance
Pd free plating
RoHS compliant
Liens connexes
- ROHM RD3 Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3L03BBJHRBTL
- ROHM RD3N03BAT Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3N03BATTL1
- ROHM RD3N045AT Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3N045ATTL1
- ROHM RD3E07BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3E07BBJHRBTL
- ROHM RD3G04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3G04BBJHRBTL
- ROHM RD3E08BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3E08BBJHRBTL
- ROHM RD3L04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3L04BBJHRBTL
- ROHM AG501EGD3HRB Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) AG501EGD3HRBTL