ROHM RD3 Type P-Channel Single MOSFETs, 29 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L03BBJHRBTL
- N° de stock RS:
- 646-543
- Référence fabricant:
- RD3L03BBJHRBTL
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
7,34 €
(TVA exclue)
8,88 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 90 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,734 € | 7,34 € |
| 100 - 490 | 0,647 € | 6,47 € |
| 500 - 990 | 0,58 € | 5,80 € |
| 1000 + | 0,458 € | 4,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 646-543
- Référence fabricant:
- RD3L03BBJHRBTL
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.5mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Width | 6.8mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.5mm | ||
Height 2.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Width 6.8mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 60 volt 29 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.
Low on-resistance
AEC-Q101 qualified
Liens connexes
- ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08BBJHRBTL
- ROHM RD3 N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P04BBKHRBTL
- ROHM RD3 N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBLHRBTL
- ROHM RD3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBKHRBTL
- ROHM RD3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08CBKHRBTL
- ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252 RD3P130SPFRATL
- ROHM AG502EL Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AG502ELD3HRBTL
- ROHM AG502EG Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AG502EGD3HRBTL