ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3L04BBLHRBTL
- N° de stock RS:
- 646-545
- Référence fabricant:
- RD3L04BBLHRBTL
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 646-545
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.8 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 10.50mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.8 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Length 10.50mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 60 volt 40 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.
Low on-resistance
AEC-Q101 qualified
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