ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08BBJHRBTL
- N° de stock RS:
- 265-415
- Référence fabricant:
- RD3G08BBJHRBTL
- Fabricant:
- ROHM
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 142W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 142W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it an excellent choice for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting, and body applications. Its robust design ensures reliable performance in critical automotive environments.
Pb free lead plating
RoHS compliant
100 percent avalanche tested
Low on resistance
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