ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P04BBKHRBTL

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646-544
Référence fabricant:
RD3P04BBKHRBTL
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

RD3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

53W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.1nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.50mm

Height

2.3mm

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Width

6.8 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM P channel 100 volt 36 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.

Low on-resistance

AEC-Q101 qualified

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