ROHM RV4 Type P-Channel Single MOSFETs, -20 V Enhancement, 8-Pin DFN1616-6W RV4C060ZPHZGTCR1
- N° de stock RS:
- 646-539
- Référence fabricant:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
3,39 €
(TVA exclue)
4,10 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,339 € | 3,39 € |
| 100 - 240 | 0,298 € | 2,98 € |
| 250 - 990 | 0,269 € | 2,69 € |
| 1000 - 4990 | 0,217 € | 2,17 € |
| 5000 + | 0,211 € | 2,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 646-539
- Référence fabricant:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | DFN1616-6W | |
| Series | RV4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type DFN1616-6W | ||
Series RV4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.8mm | ||
Length 1.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 20 volt 6 ampere small signal metal oxide semiconductor field effect transistor is one hundred percent unclamped inductive switching tested with wet table flank for automated optical inspection and one hundred thirty micrometer electrode part guarantee.
Low on resistance
Small high power package
Low voltage drive(1.5V)
Liens connexes
- ROHM RH7G04CBJFRA Type P-Channel Single MOSFETs 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04CBJFRATCB
- ROHM RH7G04BBJFRAT Type P-Channel Single MOSFETs 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04BBJFRATCB
- ROHM RD3 Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 RD3L03BBJHRBTL
- ROHM RD3N03BAT Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3N03BATTL1
- ROHM RD3G04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3G04BBJHRBTL
- ROHM HT8MB5 Type N 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MB5TB1
- ROHM RD3N045AT Type P-Channel Single MOSFETs 3-Pin TO-252 (TL) RD3N045ATTL1
- ROHM HT8MC5 Type P 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MC5TB1
