Références fabricant

Microchip Electrically Isolated N Channel and P Channel Pairs (2 Pairs) TC7920 1 N channel, P-Channel MOSFET Arrays, 1.8

N° de stock RS:: 598-568
Référence fabricant:: TC7920K6-G
Fabricant:: Microchip

Microchip Electrically Isolated N Channel and P Channel Pairs (2 Pairs) TC7920 1 N channel, P-Channel MOSFET Arrays, 1.8

Sous-total (1 bobine de 3300 unités)*

7 665,90 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3300 +	2,323 €	7 665,90 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 598-568
Référence fabricant:: TC7920K6-G
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Channel Type	N channel, P-Channel
	Product Type	MOSFET Arrays
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	TC7920
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	12
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Electrically Isolated N Channel and P Channel Pairs (2 Pairs)
	Height	1mm
	Standards/Approvals	RoHS Certificate of Compliance
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

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	Marque Microchip
	Channel Type N channel, P-Channel
	Product Type MOSFET Arrays
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series TC7920
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 12
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Electrically Isolated N Channel and P Channel Pairs (2 Pairs)
	Height 1mm
	Standards/Approvals RoHS Certificate of Compliance
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - TC7920K6-G

Pays d'origine :: CN

The Microchip High voltage, low-threshold N-channel and P-channel MOSFETs in a 12-lead DFN package feature integrated output drain high-voltage diodes, gate-to-source resistors, and gate-to-source Zener diode clamps, making them ideal for high-voltage pulser applications. These complementary, high-speed, high-voltage, gate-clamped MOSFET pairs use an advanced vertical DMOS structure and a proven silicon-gate manufacturing process. This combination delivers the power handling capabilities of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient characteristic of MOS devices.

Integrated gate to source resistor

Integrated gate to source Zener diode

Low threshold, low on-resistance

Low input and output capacitance

Fast switching speeds

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