STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET, 54 A, 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG

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481-130
Référence fabricant:
STHU60N046DM9AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

STHU60

Package Type

HU3PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

N-Channel

Height

3.6mm

Length

11.9mm

Width

14.1 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
JP
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is based on Advanced super-junction MDmesh DM9 technology, designed for medium to high voltage applications. It features very low RDS(on) per area and an integrated fast-recovery diode. The DM9 technology uses a multi-drain manufacturing process to enhance device structure and performance. With low recovery charge (Qrr), fast recovery time (trr), and low RDS(on), this fast-switching MOSFET is Ideal for high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Low gate charge and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

AEC-Q101 qualified

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