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STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG

N° de stock RS:: 215-239
Référence fabricant:: SCT060HU75G3AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG

Sous-total (1 bobine de 600 unités)*

4 810,20 €

(TVA exclue)

5 820,60 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
600 +	8,017 €	4 810,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 215-239
Référence fabricant:: SCT060HU75G3AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Series	SCT
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	30 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	750 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	7
	Package Type	HU3PAK
	Mount Type	Surface

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Series SCT
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 30 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 750 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 7
	Package Type HU3PAK
	Mount Type Surface

Datasheet - SCT060HU75G3AG

Pays d'origine :: JP

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

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