STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- N° de stock RS:
- 215-239
- Référence fabricant:
- SCT060HU75G3AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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6 985,80 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 600 + | 11,643 € | 6 985,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-239
- Référence fabricant:
- SCT060HU75G3AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Series SCT | ||
Package Type HU3PAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
- Pays d'origine :
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode