Infineon ISA Dual N-Channel MOSFET, 9.6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 ISA170170N04LMDSXTMA1

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N° de stock RS:
348-912
Référence fabricant:
ISA170170N04LMDSXTMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

9.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PG-DSO-8

Series

ISA

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC Standard

Pays d'origine :
CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistor is a dual N-channel, logic level MOSFET designed for high performance power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), which helps reduce conduction losses and increase overall system efficiency. Additionally, the transistor offers superior thermal resistance, ensuring better heat management and reliability in demanding conditions. This combination of features makes it ideal for applications requiring efficient power switching and thermal performance.

100% avalanche tested

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249‑2‑21

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