ROHM HT8 2 N-Channel MOSFET, 15 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC6TB1
- N° de stock RS:
- 264-489
- Référence fabricant:
- HT8KC6TB1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HT8 | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HT8 | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM dual Nch plus Nch power MOSFET 60V 15A features low on-resistance, making it ideal for switching applications.
Low on-resistance
High Power small mold Package HSMT8
Pb-free plating and RoHS compliant
Halogen Free
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