Infineon IGBT Module, 117 A 650 V Module, Panel
- N° de stock RS:
- 273-7363
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7363
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 117A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 16.4mm | |
| Width | 56.7 mm | |
| Length | 62.8mm | |
| Standards/Approvals | UL (E83335) | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 117A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 16.4mm | ||
Width 56.7 mm | ||
Length 62.8mm | ||
Standards/Approvals UL (E83335) | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 100 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.
Low VCEsat
Compact design
Rugged mounting
Low inductive design
Low Switching Losses
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