Infineon IGBT Module, 30 A 650 V TO-220
- N° de stock RS:
- 259-1530
- Référence fabricant:
- IKP15N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,464 € | 73,20 € |
| 100 - 200 | 1,171 € | 58,55 € |
| 250 - 450 | 1,098 € | 54,90 € |
| 500 - 950 | 1,025 € | 51,25 € |
| 1000 + | 0,952 € | 47,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1530
- Référence fabricant:
- IKP15N65H5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 105W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 105W | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high speed switching series fifth generation, It is high speed H5 technology offering. It is plug and play replacement of previous generation IGBTs and qualified according to JEDEC for target applications.
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