Infineon F3L100R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 117 A 650 V Module, Panel Mount

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N° de stock RS:
273-7362
Référence fabricant:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

117 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

300 W

Package Type

Module

Mounting Type

Panel Mount

The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 100 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Low VCEsat
Compact design
Rugged mounting
Low inductive design
Low Switching Losses

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