Infineon FP50R12KT3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel Mount
- N° de stock RS:
- 273-7403
- Référence fabricant:
- FP50R12KT3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 170,61 € |
| 5 - 9 | 167,19 € |
| 10 - 99 | 155,09 € |
| 100 - 249 | 142,11 € |
| 250 + | 131,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7403
- Référence fabricant:
- FP50R12KT3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 280 W | |
| Package Type | Module | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 75 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 280 W | ||
Package Type Module | ||
Mounting Type Panel Mount | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 50A continuous DC collector current. It has copper base plate for optimized heat spread and low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3 and NTC.
Thermal resistance
High reliability
High power density
Low switching losses
Compact module concept
High reliability
High power density
Low switching losses
Compact module concept
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