Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 650 A 150 V Module, Panel Mount

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

109,08 €

(TVA exclue)

131,99 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 4109,08 €
5 - 9106,88 €
10 - 9999,16 €
100 - 24990,91 €
250 +83,92 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7365
Référence fabricant:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

650 A

Maximum Collector Emitter Voltage

150 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

335 W

Package Type

Module

Mounting Type

Panel Mount

The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 150 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Low VCEsat
Compact design
Rugged mounting
Low inductive design
Low Switching Losses

Liens connexes