Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 650 A 150 V Module, Panel Mount
- N° de stock RS:
- 273-7365
- Référence fabricant:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 5 - 9 | 106,88 € |
| 10 - 99 | 99,16 € |
| 100 - 249 | 90,91 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7365
- Référence fabricant:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 650 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 150 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 335 W | |
| Package Type | Module | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 650 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 150 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 335 W | ||
Package Type Module | ||
Mounting Type Panel Mount | ||
The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 150 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.
Low VCEsat
Compact design
Rugged mounting
Low inductive design
Low Switching Losses
Compact design
Rugged mounting
Low inductive design
Low Switching Losses
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