Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 650 A 150 V, 8-Pin Module, Panel

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 plateau de 15 unités)*

694,50 €

(TVA exclue)

840,30 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le plateau*
15 - 9046,30 €694,50 €
105 +42,441 €636,62 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7364
Référence fabricant:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

650A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

150V

Maximum Power Dissipation Pd

335W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

16.4mm

Length

62.4mm

Standards/Approvals

UL (E83335)

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 150 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Low VCEsat

Compact design

Rugged mounting

Low inductive design

Low Switching Losses

Liens connexes