Infineon FS75R07W2E3B11ABOMA1 Array 6 IGBT Transistor Module, 95 A 650 V ACEPACK 2
- N° de stock RS:
- 259-1502
- Référence fabricant:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 53,312 € | 799,68 € |
| 30 + | 50,647 € | 759,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1502
- Référence fabricant:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 95 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 275 W | |
| Package Type | ACEPACK 2 | |
| Configuration | Array 6 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 95 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 275 W | ||
Package Type ACEPACK 2 | ||
Configuration Array 6 | ||
The Infineon easy pack 2B modules with trenchstop IGBT3, emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC.
Increased blocking voltage capability to 650V
Low switching Losses
Low VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Low switching Losses
Low VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
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