Infineon F3L150R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 85 A 650 V

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 plateau de 15 unités)*

1 263,135 €

(TVA exclue)

1 528,395 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 29 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
15 +84,209 €1 263,14 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
248-1201
Référence fabricant:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

85 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Number of Transistors

4

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device uses IGBT HighSpeed 3 technology.

Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design
Highest efficiency and power density

Liens connexes