Infineon FS200R12PT4BOSA1 IGBT Module, 280 A 1200 V EconoPACK
- N° de stock RS:
- 244-5873
- Référence fabricant:
- FS200R12PT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 244-5873
- Référence fabricant:
- FS200R12PT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 280A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1000W | |
| Package Type | EconoPACK | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | ULapproved(E83335) | |
| Series | FS200R12PT4 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 280A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1000W | ||
Package Type EconoPACK | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals ULapproved(E83335) | ||
Series FS200R12PT4 | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and press FIT / NTC it is use in high power converters, motor drives, traction drives, ups systems etc.
Electrical features
Extended operation temperature Tvj
Low switching losses
Low VCEsat
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
2.5 kV AC 1min insulation
High power density
Isolated base plate
Standard housing
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