Infineon F475R06W1E3BOMA1 Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) IGBT Module, 100 A 600 V

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N° de stock RS:
244-5369
Référence fabricant:
F475R06W1E3BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Number of Transistors

4

Maximum Power Dissipation

275 W

Configuration

Emitter-Collector, Quad (2 x Dual)

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, UPS systems, inductive heating and welding and solar applications etc.

Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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