Infineon FS200R12PT4BOSA1 IGBT Module, 280 A 1200 V EconoPACK
- N° de stock RS:
- 244-5869
- Référence fabricant:
- FS200R12PT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 6 unités)*
1 082,322 €
(TVA exclue)
1 309,608 €
(TVA incluse)
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 6 + | 180,387 € | 1 082,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5869
- Référence fabricant:
- FS200R12PT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 280 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation | 1 kW | |
| Package Type | EconoPACK | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 280 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation 1 kW | ||
Package Type EconoPACK | ||
The infineon IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and press FIT / NTC it is use in high power converters, motor drives, traction drives, ups systems etc.
Electrical features
Extended operation temperature Tvj
Low switching losses
Low VCEsat
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
2.5 kV AC 1min insulation
High power density
Isolated base plate
Standard housing
Extended operation temperature Tvj
Low switching losses
Low VCEsat
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
2.5 kV AC 1min insulation
High power density
Isolated base plate
Standard housing
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