Références fabricant

Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

N° de stock RS:: 244-5392
Référence fabricant:: FP25R12W2T4BOMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

Offre groupée disponible

Sous-total (1 plateau de 15 unités)*

511,995 €

(TVA exclue)

619,515 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Temporairement en rupture de stock

15 unité(s) expédiée(s) à partir du 17 septembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le plateau*
15 - 15	34,133 €	512,00 €
30 +	32,426 €	486,39 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 244-5392
Référence fabricant:: FP25R12W2T4BOMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	39 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation	175 W

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 39 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation 175 W

Datasheet - FP25R12W2T4BOMA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF

Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes