Infineon IGBT Module 1200 V

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

864,19 €

(TVA exclue)

1 045,67 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
le plateau*
10 +86,419 €864,19 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
244-5846
Référence fabricant:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Number of Transistors

7

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

FP75R12KT4B11B

Length

122mm

Width

62 mm

Height

17mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

Liens connexes