Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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N° de stock RS:
244-5846
Référence fabricant:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

385 W

Number of Transistors

7

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing

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