Références fabricant

Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V

Name: Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5848
Price: 161.34 EUR
Availability: BackOrder

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

133,34 €

(TVA exclue)

161,34 €

(TVA incluse)

Temporairement en rupture de stock

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

*Prix donné à titre indicatif

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	385W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	122mm
	Series	FP75R12KT4B11B
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	17mm
	Width	62 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 385W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 122mm
	Series FP75R12KT4B11B
	Standards/Approvals RoHS
	Height 17mm
	Width 62 mm
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

Liens connexes