Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V
- N° de stock RS:
- 244-5848
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5848
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation | 385 W | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 75 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation 385 W | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.
Electrical Features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
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